Proses Pemindai pada STM

STM merupakan mikroskop yang mampu menghasilkan gambar dalam skala atomik sehingga mampu melihat atom dan molekul.

Mekanisme Pembakaran

Pada artikel ini dibahas secara singkat bagaimana pembakaran terjadi pada senyawa organik terutama polimer

Korosi Celah

Korosi celah disebabkan oleh adanya air yang terjebak pada celah sempit antar sambungan atau retakan.

Material karbon

Saat ini nanomaterial karbon seperti CNT dan grafen banyak menarik perhatian karena sifatnya yang unik.

Zeolit

Go to Blogger edit html and find these sentences.Now replace these sentences with your own descriptions.

Tampilkan postingan dengan label Molecular electronics. Tampilkan semua postingan
Tampilkan postingan dengan label Molecular electronics. Tampilkan semua postingan

Spektroskopi Penerobosan Elektron Tak Elastik

Spektroskopi Penerobosan Elektron Tak elastic atau Inelastic electron tunneling spectroscopy (IETS) merupakan spektroskopi yang banyak digunakan untuk identifikasi kimia, investigasi ikatan dan deteksi senyawa. IETS juga banyak digunakan dalam bidang nanoscience dan molecular junction.

IETS mempunyai persamaan dengan spektroskopi inframerah dan Raman karena ketiganya digunakan untuk mendeteksi vibrasi molekul. Spektroskopi inframerah merupakan spektroskopi vibrasi yang paling terkenal dan telah dikembangkan dengan baik untuk mempelajari molekul yang teradospsi pada permukaan substrat. Spektroskopi Raman digunakan ketika spektroskopi inframerah sulit atau bahkan mustahil digunakan seperti pada kasus molekul yang terlarut di dalam solven yang tidak tembus cahaya inframerah. Atau digunakan pula untuk tipe vibrasi yang tidak aktif terhadap inframerah. Keduanya dibandingkan dengan IETS mempunyai sensitivitas yang lebih rendah. Karena interaksi elektron dengan vibrasi molekul lebih kuat daripada dengan foton, maka satu monolayer molekul sudah cukup untuk menghasilkan spektra IET yang baik. Selain itu pada IETS tidak ada aturan seleksi seperti pada IR dan Raman. Mode vibrasi aktif baik terhadap inframerah maupun terhadap Raman akan nampak di spektra IET. 

IETS ditemukan pada tahun 1966 oleh Jaklevic dan Lambe ketika mereka mempelajari efek tunneling pada metal-oxide-metal junction. Alih-alih menemukan efek struktur pita, mereka menemukan pola karakteristik d2I/dv2 yang berhubungan dengan eksitasi vibrasional molekul pengotor yang ada pada lapisan insulator.

Gambar 1. Gambaran skematis sistem IETS. Persegi panjang menunjukkan elektroda. Di antara elektroda terdapat molekul yang akan dipelajari. Energi vibrasi molekul ditunjukkan dengan garis putus-putus.

Untuk mengetahui bagaimana IETS bekerja, perhatikan Gambar 1. Saat potensial bias diberikan pada kedua elektroda, elektron akan tunnel dari elektroda kiri ke elektroda kanan. Pada gambar paling kiri, elektron mengalami tunneling secara elastik, yaitu tidak ada perubahan energi sebelum dan sesudah tunneling. Pada gambar bagian tengah, apabila potensial bias diperbesar sehingga potensial bias ini sesuai dengan tingkat energi vibrasi molekul, maka saat elektron akan kehilangan energi sebesar perbedaan energi vibrasi ini. Elektron dikatakan mengalami tunneling secara tidak elastik. Tunneling tak elastik ini merupakan jalur transpor elektron baru selain tunneling elastik. Sehingga pada keadaan ini terdapat dua jalur transpor elektron, secara elastik dan secara tak elastik. Akibatnya peningkatan arus akan lebih besar setelah potensial bias melewati titik ini (Gambar 2). Pada Gambar 1 bagian kanan, molekul mengalami relaksasi dan mengemisikan energi. Apabila energi ini ditangkap oleh elektron maka energi elektron akan kembali seperti semula. Ini dinamakan tunneling elastik tingkat kedua. 

Gambar 2. Saat potensial bias sesuai dengan energi eksitasi vibrasi maka arus tunneling akan bertambah


Pustaka
http://pubs.rsc.org/en/Content/ArticleHtml/2011/CS/c0cs00155d
http://en.wikipedia.org/wiki/Inelastic_electron_tunneling_spectroscopy


Waktu Senja Teknologi Silikon

Perkembangan teknologi telah mendorong industri semikonduktor untuk memproduksi peralatan logic (logic device) yang semakin kecil, makin cepat dan lebih bertenaga. Komputer generasi pertama yang dinamakan ENIAC membutuhkan ruangan yang sangat besar. Sekitar sepuluh tahun kemudian ukuran komputer menjadi berkurang drastis karena menggunakan transistor sebagai pengganti tabung vakum. Hingga saat ini transistor yang berbahan dasar silikon masih digunakan sebagai komponen utama pada prosesor komputer. 

Salah satu pendiri Intel, Gordon Moore, pada tahun 1965 mempublikasikan sebuah tulisan tentang perkembangan teknologi silikon di masa yang akan datang. Menurut Moore, jumlah transistor yang terdapat di dalam sebuah integrated circuit (IC) akan bertambah sebanyak dua kali lipat setiap 18-24 bulan. Dengan kata lain, ukuran transistor akan semakin kecil menjadi sekitar setengahnya. Sangat mengejutkan, ternyata hukum ini berlaku hingga puluhan tahun kemudian. 

Gambar 1. Hukum Moore memprediksi jumlah transistor yang ada pada tiap microprosesor akan meningkat sebanyak dua kali tiap 18-24 bulan.

Salah satu teknologi yang mendukung tercapainya miniaturisasi transistor adalah teknologi litografi. Dengan teknologi litografi, manusia mampu menciptakan dan menyusun transistor dengan skala nanometer. Saat ini, prosesor i7 generasi kelima yang diproduksi Intel telah menggunakan teknologi litografi 14 nm. 

Apakah Hukum Moore akan selamanya berlaku? Tentu proses miniaturisasi transistor itu tidak akan selamanya bisa berlangsung. Bayangkan apabila kita mampu mengecilkan ukuran transistor dengan cara memotong bagian besar menjadi bagian yang lebih kecil secara terus-menerus. Maka akan ada saatnya kita mendapat hanya satu lapis atom silikon dan tidak mungkin lagi memotong satu atom tersebut. Bahkan saat pengurangan ukuran silikon belum mencapai satu lapis, sifatnya sebagai transistor akan berubah karena gejala mekanika kuantum mulai nampak.

Di bidang konstruksi material juga terdapat batasan fisik fundamental yang sangat sulit atau bahkan mustahil diatasi. Sebagai contoh, kebocoran muatan (charge leakage) akan terjadi ketika lapisan insulator silikon dioksida diperkecil hingga ketebalannya hanya mencapai lapisan tiga atom. Silikon dioksida merupakan insulator yang baik. Namun apabila ketebalannya semakin berkurang, kemampuannya sebagai insulator akan semakin menurun karena resistansi berbanding langsung dengan ketebalan (panjang). Pada suatu saat saat ketebalannya sangat tipis, hanya beberapa lapis atom, maka akan terjadi fenomena hantaran elektron yang disebut tunneling. Silikon dioksida tidak lagi bersifat isolator. 

Panas yang dihasilkan oleh mikroprosesor juga akan sangat besar. Bisa jauh lebih panas dari pada permukaan panci untuk memasak. Selain itu struktur pita energi silikon akan berubah saat ukurannya menjadi sangat kecil. Teknologi litografi yang sangat diandalkan juga akan segera mencapai batasannya, bahkan sekalipun dengan teknologi litografi canggih seperti e-beam lithography, extreme UV lithography, dan x-ray lithography.

Dengan semakin kecilnya ukuran, kontrol terhadap kontaminan dan cacat kristal menjadi sangat penting. Saat ini pengotor logam yang terdapat pada asam sulfat yang digunakan pada proses fabrikasi silikon mempunyai kadar sangat rendah, dalam ukuran part-per-billion (ppb). Namun apabila asam sulfat ini digunakan untuk produksi silikon dengan ukuran jauh lebih kecil lagi, maka kadar kontaminan yang diijinkan haruslah sekitar part-per-trillion (ppt). Kadar yang sangat sulit dipenuhi oleh industri asam sulfat. 

Adanya keterbatasan-keterbatasan yang akan dihadapi oleh teknologi silikon di masa yang akan datang membuat manusia harus berpikir alternatif material lain. Saat ini, IBM telah menginvestasikan 3 milyar dolar untuk dua program penelitian terkait dengan usaha untuk mendobrak keterbatasan teknologi chip dan hukum Moore. Penelitian itu mempunyai tujuan untuk menguasai teknologi 7 nm. 


Menuju Elektronik Molekular

Semua orang pasti tau gambar di bawah ini:
Ya, itu adalah gambar kabel dan saklar yang banyak terpasang di rumah kita. 

Untuk anda yang mengerti sedikit ilmu elektronika juga pasti mengenal gambar berikut:




Betul sekali, itu adalah gambar dioda dan transistor.


Kabel, saklar, dioda dan transistor merupakan komponen penyusun peralatan-peralatan elektronik seperti radio dan televisi. Bahkan peralatan elektronik yang sangat canggih seperti smartphone dan komputer terbentuk dari rangkaian komponen-komponen tersebut. Tentu saja komponen elektronik yang digunakan di smartphone dan komputer berukuran sangat kecil.


Saat ini pada ilmuwan berusaha membuat komponen elektronik yang sangat kecil yang terbuat dari molekul sehingga disebut molecular electronics (molecs). Karena molekul merupakan struktur paling kecil yang stabil maka penggunaan molekul sebagai komponen elektronik dipercaya sebagai teknologi masa depan dalam  usaha memperkecil ukuran komponen elektronik.

 Gambar di atas merupakan gambar molecular wire. Suatu kawat yang terbuat dari molekul organik terkonjugasi. Prinsip kerjanya sama dengan kabel biasa, apabila terdapat perbedaan potensial di ujung-ujung elektroda, maka arus listrik akan mengalir pada molecular wire tersebut.



 Gambar di atas adalah gambar molecular transistor. Sama seperti pada transistor efek medan (FET), terdapat tiga terminal yaitu source, gate dan drain yang kira-kira sama dengan emitor, basis dan kolektor pada transistor dwikutub (BJT). Terminal gate berfungsi untuk mengatur aliran elektron dari source ke drain.


Gambar di atas adalah gambar molecular switch. Prinsip kerjanya sama dengan saklar biasa, apabila posisi on, maka arus listrik dapat mengalir. Namun apabila saklar berada pada posisi off, maka arus listrik tidak dapat mengalir. Hanya pada molecular switch, posisi on dan off ditentukan oleh radiasi sinar yang datang. Apabila molecul tersebut terkena radiasi sinar UV, maka rantai akan menutup dan berada pada posisi on. Sebaliknya apabila terkena radiasi sinar tampak (visible) maka rantai akan membuka dan berada pada posisi off.